Российские ученые в десятки раз повысили производительность силовых электронных устройств

Исследователи НИТУ МИСиС улучшили структуру полупроводниковых выпрямителей тока, которые применяются в силовой электронике, телекоммуникациях, бытовой электронике и автомобильной промышленности. Новая разработка позволяет перейти к более эффективной и надежной структуре выпрямителей, уменьшающей токи утечки в десятки раз.
Разработка российских ученых
Разработка российских ученыхИсточник: пресс-служба НИТУ МИСиС

Выпрямители — важнейший компонент источников питания, преобразующий переменный ток в постоянный, а полевые транзисторы используются в усилителях сигнала и радиочастотных приложениях. В последние несколько лет сильно возрос интерес к использованию сверхширокозонного оксида галлия бета-полиморфа (β-Ga2O3). Это перспективный кандидат для применения в мощных выпрямителях и полевых транзисторах следующего поколения из-за его уникальных свойств, простоты технологии и низкой стоимости, говорится в сообщении пресс-службы НИТУ МИСиС.

Материал способен выдерживать высокие напряжения и работать при высоких температурах. Кроме того, его можно использовать в высокомощных силовых устройствах. Он обладает высокой скоростью насыщения электронов, одной из самых высоких среди всех полупроводников.

По характеру проводимости полупроводники делят на n-тип и р-тип. Полупроводник n-типа имеет примесные элементы, которые называются доноры. Основными носителями заряда являются электроны. Полупроводники р-типа содержат акцепторные примеси, захватывающие валентные электроны, и характеризуются дырочной проводимостью, то есть за проводимость отвечает дырка 一 «отсутствие электрона».

Ученые НИТУ МИСиС в десятки раз повысили производительность силовых электронных устройств
Ученые НИТУ МИСиС в десятки раз повысили производительность силовых электронных устройствИсточник: пресс-служба НИТУ МИСиС

«Несмотря на свои преимущества, у оксида галлия бета-полиморфа есть недостаток — сложность получения проводимости дырочного типа и невозможность в настоящее время создания биполярных приборов на основе одного только β-Ga2O3. Это создает трудности при попытках разработать выпрямители с одновременно очень большим пробивным напряжением и очень маленьким сопротивлением во включенном состоянии, а также с маленькими потерями энергии при переключении из включенного в закрытое состояние и способностью переносить заметные перегрузки», 一 пояснил к.т.н. Александр Поляков, профессор кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников, заведующий лабораторией «Ультраширокозонные полупроводники» в НИТУ МИСиС.

Чтобы устранить эту проблему, российские ученые изготовили гетеропереход, то есть контакт двух разных полупроводников, в котором n-тип полупроводник β-Ga2O3 контактирует с материалом с высокой естественной проводимостью p-типа. В качестве такого материала можно использовать оксид никеля (NiO).

«Выпрямитель может быть создан на базе диодов Шоттки — полупроводниковых диодах с малым падением напряжения при прямом пропускании тока. Замена подобных выпрямителей на гетеропереходы с NiO позволяет сочетать уникальные свойства β-Ga2O3 со свойствами биполярных устройств. Мы использовали взаимодополняющие характеристики различных материалов для повышения производительности, эффективности и функциональности устройств в приложениях силовой электроники», — добавил соавтор исследования Антон Васильев, инженер научного проекта лаборатории «Ультраширокозонные полупроводники» Университета МИСиС.

Антон Васильев за работой
Антон Васильев за работойИсточник: пресс-служба НИТУ МИСиС

Выяснилось, что в сравнении с другими полупроводниковыми материалами или даже в сравнении с диодами Шоттки на основе того же оксида галлия, вариант выпрямителей с гетеропереходами NiO/β-Ga2O3 повышает производительность устройств и пробивные напряжения, которые устройство может выдержать без повреждения, а также уменьшает токи утечки в десятки раз. 

Ранее российские ученые собрали сверхлегкую батарею для космического корабля «Орел». Она на 10% мощнее, чем у Илона Маска, и на 13 кг легче конкурентов.