Ученые из Университета Фудань представили революционный чип памяти PoX (Phase-change Oxide), способный записывать и считывать данные всего за 400 пикосекунд (одна триллионная секунды). Это в тысячи раз быстрее, чем современные SSD и оперативная память, и открывает новые возможности для ИИ, суперкомпьютеров и мобильных устройств.
Скорость работы памяти — основное ограничение в современных вычислениях. Существующие технологии делятся на два типа:
- Быстрые, но энергозависимые (DRAM, SRAM) — теряют данные при отключении питания;
- Медленные, но энергонезависимые (флеш-память в SSD) — сохраняют информацию, но работают в микросекундах, что слишком медленно для ИИ.
PoX объединяет оба преимущества:
- Энергонезависимость — данные не стираются без питания;
- Скорость 400 пикосекунд — в 2500 раз быстрее лучшей DRAM;
- Низкое энергопотребление — критично для мобильных устройств и дата-центров.
Команда профессора Чжоу Пэна радикально изменила структуру памяти. Вместо кремния использован двумерный графен Дирака, обеспечивающий сверхбыстрое движение зарядов. Также ученые применили метод 2D-суперинжекции, устраняющий «тормоза» обычной памяти. Алгоритмы ИИ помогли оптимизировать производственный процесс.
Раньше системы ИИ тратили 80% энергии на перемещение данных, а не на вычисления. Теперь это узкое место устранено.
На данный момент создан рабочий прототип чипа и завершена проверка на производственной линии (tape-out). Следующий шаг — интеграция в смартфоны, компьютеры и серверы ИИ.
По словам ученых, технология позволит ускорить нейросети в реальном времени (например, генеративные ИИ в телефонах), уменьшить нагрев устройств за счет снижения энергопотребления и создать новые типы процессоров, где память и вычисления объединены в одной схеме.
Команда Университета Фудань уже сотрудничает с производителями чипов. Первые коммерческие продукты на базе PoX могут появиться в 2026—2027 годах.
Читайте также нашу статью о том, как Google представила самый мощный ИИ-процессор.
