В России создали материал для улучшения кремниевых микросхем

Отечественным специалистам удалось стабилизировать гексагональный кремний. Новый материал повышает проводимость и эффективность транзисторов, открывая новые горизонты для российской микроэлектроники.
Автор Hi-Tech Mail
кремний под микроскопом
Кремний в гексагональной фазе.Источник: Университет Лобачевского / наука.рф

Ученые Университета Лобачевского разработали пленку, содержащую кремний в гексагональной фазе. Новый материал способен увеличить эффективность транзисторов, обеспечивая больший ток при снижении напряжения питания. Это открытие способствует улучшению характеристик ключевых компонентов интегральных схем и повышению производительности микропроцессоров, говорится на официальном сайте Десятилетия науки и технологий в России.

Кремний в гексагональной фазе обладает уникальной кристаллической структурой, благодаря которой значительно возрастает проводимость материала в определенных направлениях. Это способствует увеличению электрического тока. Есть одно «но»: подобные структуры традиционно нестабильны и легко переходят в обычную форму кремния. Отечественным ученым удалось успешно стабилизировать гексагональную фазу, открывая перспективу широкого промышленного применения гексагонального кремния, уточняет доцент кафедры квантовых и нейроморфных технологий физического факультета Университета Лобачевского Антон Конаков.

ученые в лаборатории
Структуру новых материалов определяют с помощью электронного микроскопа.Источник: Университет Лобачевского / наука.рф

Новый материал получают путем выращивания на подложке из обычного кремния с последующим нанесением верхнего слоя германия. Между ними образуется сплошной и равномерный слой кремния в гексагональной фазе. Эта технология позволяет создавать пленки, пригодные для покрытия больших участков микросхем с множеством контактов. Ученые намерены оптимизировать и масштабировать свою разработку для дальнейшего внедрения ее в российскую промышленность кремниевой микроэлектроники.

«Кроме непосредственно технологий создания гексагональной фазы кремния нам удалось разработать ряд оригинальных систем для роста тонких пленок кремния и германия. Эти решения тоже запатентованы. Их можно использовать для создания большого спектра материалов, например, для создания самых разных тонкопленочных структур, применяемых в микроэлектронной промышленности», — заключает автор разработки, доцент кафедры физики полупроводников, электроники и наноэлектроники физического факультета Университета Лобачевского Николай Кривулин.

Тем временем зарубежные физики впервые наблюдали новую форму магнетизма. Подробнее об этом рассказали в другом материале Hi-Tech Mail.