Ученые нашли доказательства «дверных состояний» нейронов

Оказывается, для выхода частицы из материала важно не только превысить пороговую энергию, но и попасть в особое резонансное состояние. Эти «двери» формируются в зависимости от структуры и толщины вещества.
Автор Hi-Tech Mail
Ученые раскрыли тайну «дверных состояний»: как электроны находят путь наружу из твердых материалов
Ученые раскрыли тайну «дверных состояний»: как электроны находят путь наружу из твердых материаловИсточник: Recraft

Физики из Венского технического университета раскрыли тайну, которая сбивала ученых с толку десятилетиями. Они объяснили, почему не все электроны покидают твердое тело, даже обладая достаточной энергией для этого. Ключ к разгадке — так называемые «дверные состояния» — особые квантовые уровни, открывающие путь наружу.

Когда поток электронов ударяет по материалу, часть из них передает энергию другим, позволяя им вырваться из поверхности. Этот процесс — вторичная электронная эмиссия — лежит в основе множества технологий: от электронных микроскопов и ускорителей до старых кинескопных дисплеев. Казалось бы, чем выше энергия, тем проще вылететь, но эксперименты часто не совпадали с теорией. Это означало, что есть еще один, скрытый фактор.

До сих пор физики считали, что достаточно превысить энергетический порог, чтобы электрон мог выйти наружу
До сих пор физики считали, что достаточно превысить энергетический порог, чтобы электрон мог выйти наружуИсточник: Recraft

Команда профессора Рихарда Вильгельма выявила, что энергия — лишь часть уравнения. Электрон может обладать «свободным» уровнем энергии, но оставаться внутри кристалла, если не попадает в резонанс с особыми состояниями, которые соединяют внутреннюю структуру с внешней средой. Именно эти уровни — «двери» — дают возможность покинуть материал.

Чтобы доказать существование таких квантовых переходов, ученые объединили моделирование и эксперименты. Они исследовали многослойные материалы, включая графен, используя метод углово-разрешенной фотоэмиссионной спектроскопии (ARPES). Эта технология позволяет измерять распределение электронов по энергии и импульсу с точностью до десятков мэВ и угловым разрешением ~0,1°. Благодаря этому удалось зафиксировать состояния, ведущие к выходу электронов наружу.

Расчеты на основе уравнения Шредингера и метода функционала плотности (DFT) подтвердили наблюдения: «дверные состояния» формируются только при толщине свыше пяти слоев. В более тонких структурах электроны остаются «запертыми», несмотря на то, что их энергия превышает порог выхода. Этот эффект открывает новые возможности для управления свойствами многослойных материалов и создания источников электронов с заданными характеристиками.

Новые данные открывают перспективы для целенаправленного проектирования многослойных материалов
Новые данные открывают перспективы для целенаправленного проектирования многослойных материаловИсточник: Recraft

По сути ученые нашли способ «увидеть» невидимое — переход между связанным и свободным состоянием частицы. Это открытие поможет создавать более точные катоды для ускорителей, улучшить детекторы излучения и разработать новые методы контроля поверхности материалов.

Исследование, опубликованное в Physical Review Letters, решает старую загадку физики конденсированного состояния и дает инженерам инструмент для проектирования электроники будущего, где каждая частица будет работать по расчету.

Ранее мы писали о том, что российские ученые обнаружили скрытый механизм работы памяти в мозге.