Новая конструкция вертикальных транспортных полевых транзисторов (VTFET) призвана прийти на смену нынешней технологии FinFET с горизонтальным размещением. Ток в VTFET тоже будет проходить вертикально, пишет The Verge.
Хотя мы все еще далеки от того, чтобы увидеть, как новое решение применяется в реальных потребительских микросхемах, компании-разработчики делают несколько громких заявлений, отмечая, что конструкция VTFET сможет предложить «двукратное улучшение производительности и сокращение потребления энергии на 85%» по сравнению с современными возможностями FinFET.
IBM и Samsung также ссылаются на несколько амбициозных вариантов использования вертикального размещения транзисторов в кристаллах кремния. В частности, говорится о возможности создать «аккумуляторы сотовых телефонов, которые могут работать без подзарядки в течение недели вместо нескольких дней».
Кроме того, созданные новым способом микросхемы можно будет использовать в энергоемком майнинге криптовалют или при шифровании данных, а некоторые чипы подойдут для создания мощных устройств Интернета вещей и даже космических кораблей будущего, отмечает источник.
Ищите качественные аксессуары для смартфонов в подборке с AliExpress:
Это тоже интересно:
