Samsung представила новейшее решение, технологию, позволяющую расположить 512 ГБ памяти DDR5 на одной планке (RAM).
Южнокорейская компания является одним из ведущих поставщиков памяти DDR4. 6 апреля техногигант разместил на своем канале видео, показывающее последние возможности модульной технологии DDR5−7200 МГц. По представленному контенту можно понять, что ведется разработка объемной оперативной памяти.
На диаграмме можно понять разницу между 4-слойными чипами памяти DDR4 от Samsung и 8-слойными чипами DDR5.
Новые модули RAM DDR5 емкостью 512 ГБ используют более совершенную технологию многослойной укладки памяти. Такой же принцип применяется в последних модулях памяти DDR4.
Благодаря шлифовке кремниевых слоев удалось сделать составляющие матрицы на 40 процентов тоньше. Аналогичным образом получилось уменьшить расстояние между слоями. Эта конструкция плотнее и тоньше предыдущих: 1,0 мм против 1,2 мм. Samsung сможет производить планки оперативной памяти объемом 512 ГБ с 8 сложенными и соединенными модулями DRAM.
Представленная технология достигает скорости до 6400 Мбит/с, что в два раза быстрее предыдущего поколения.
Увеличение производительности не повлияет на эффективность энергопотребления, пишет gizmochina. Новая разработка более чем на 30% энергоэффективнее предыдущего поколения. Для полной работы оперативной памяти DDR5 потребуется относительно низкое напряжение.
Samsung упомянула, что будет поставлять новинку центрам обработки данных, производителям смартфонов и ноутбуков. Попадут ли планки 512 ГБ в руки потребителей — неизвестно. Также остается под вопросом цена «чудо-плашки».
Посмотрите полный ролик выпущенный компанией:
А вот какие гаджеты от компании Samsung (и не только) мы нашли:
Это тоже интересно:
