Неназванный источник в LG Electronics сообщил Korea Times, что Odin будут производиться по 28-нанометровому процессу с использованием прогрессивной high-k metal gate (HKMG) технологии. Ожидается, что впервые они станут использоваться в новом флагманском смартфоне Optimus G II, который анонсируют в ходе выставки IFA 2013 в начале сентября.
Мощные восьмиядерные решения будут собираться тайваньской компанией TSMC, так как у LG нет соответствующих производственных мощностей. Как и в случае с Samsung Exynos 5 Octa, тут будет применяться технология ARM big.LITTLE для максимальной производительности и высокой энергоэффективности. Четыре ядра Cortex-A15 будут обеспечивать высокую скорость работы в 3D-играх и других "тяжелых" приложениях, тогда как четыре ядра Cortex-A7 будут выполнять простые и фоновые задачи, потребляя минимум энергии.
Пресс-секретарь LG отметил, что компания хочет усилить свое положение на рынке смартфонов и снизить зависимость от чипмейкеров, поэтому сейчас инвестирует большие средства в продукты, которые могут этому помочь. В настоящее время увеличивается штат квалифицированных чип-дизайнеров, а их подразделениям дается больше полномочий.
Таким образом, этой осенью мы, скорее всего, увидим сразу два корейских восьмиядерных смартфона — LG Optimus G II и Samsung Galaxy Note III.
