При этом на сегодняшний день наибольшее распространение получили 14-нанометровые чипы. В то время, как гиганты Intel и Samsung совместно работают над устройствами на архитектуре 10-нанометров, IBM удалость продвинуться в этой сфере дальше всех. Новая 5-нанометровая архитектура, разработанная компанией, будет строиться из наборов по четыре наносети, позволяя разместить около 30 миллиардов транзисторов на чипе размером с монету в 1 копейку.
Новая архитектура создана с использованием процесса фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV). Рисунок в этом случае наносится на кремниевую пластину с использованием высокоэнергетичной волны света. Это позволяет осуществлять более точную настройку производительности и мощности в рамках единого производственного процесса для конкретных цепей — что невозможно при сегодняшнем производстве архитектуры транзисторов FinFET.
Ожидается, что новая архитектура получит коммерческое распространение в 2019 году, сообщается на официальном сайте IBM.
