Mail.RuПочтаМой МирОдноклассникиИгрыЗнакомстваНовостиПоискВсе проекты
13 июля 2016, Источник: Hightech.fm

IBM и Samsung создали сверхбыструю память

IBM совместно с компанией Samsung разработала технологию производства энергонезависимой оперативной памяти. Это не только очень быстрый, но и долгоживущий накопитель, который можно будет применять в мобильных устройствах и гаджетах для «умного» дома, сообщает Hightech.fm.

Для создания сверхбыстрой памяти разработчики применили технологию магнитных моментов. Новое запоминающее устройство получило название магнитнорезистивной оперативной памяти (MRAM). Эта технология позволяет производить накопители в сто тысяч раз быстрее современных образцов.

MRAM можно использовать в устройствах с очень низким энергопотреблением, например, для создания гаджетов «умного» дома — лампочки, камеры наблюдения, выключатели, розетки и т. д. Память способна работать почти при полном отсутствии питания.

Новая ступень развития

По словам одного из создателей технологии Дэниела Уорледжа (IBM), MRAM может легко прийти на замену флэш-памяти. Новый накопитель значительно быстрее, проще в эксплуатации и более долговечен. Но планы внедрения технологии в производство пока не раскрываются.

Расскажите друзьям о новой сверхскоростной памяти от IBM и Samsung — нажмите на одну из кнопок ниже ↓↓↓

Новости Hi-Tech
Самое интересное о технологиях
Комментарии
3
Владимир
в свое время советская промышленность выпускала память на магнитных доменах, судя по тексту заметки IBM и Samsung банально реанимируют советские разработки 30-40 летней давности и главное патентная чистота обеспечена (насколько я знаю патенты действуют 25 лет, могу и ошибаться)
СсылкаПожаловаться
Гладышев Егор
Первая память была на магнитах. Технология возвращается на новом уровне
СсылкаПожаловаться
zet
И это не жпл.
СсылкаПожаловаться
Чтобы оставить комментарий, вам нужно авторизоваться.
Обнаружили ошибку? Выделите ее и нажмите Ctrl+Enter.
Подпишитесь на нас
Новости Hi-Tech Mail.Ru