Для создания сверхбыстрой памяти разработчики применили технологию магнитных моментов. Новое запоминающее устройство получило название магнитнорезистивной оперативной памяти (MRAM). Эта технология позволяет производить накопители в сто тысяч раз быстрее современных образцов.
MRAM можно использовать в устройствах с очень низким энергопотреблением, например, для создания гаджетов «умного» дома — лампочки, камеры наблюдения, выключатели, розетки и т. д. Память способна работать почти при полном отсутствии питания.
Новая ступень развития
По словам одного из создателей технологии Дэниела Уорледжа (IBM), MRAM может легко прийти на замену флэш-памяти. Новый накопитель значительно быстрее, проще в эксплуатации и более долговечен. Но планы внедрения технологии в производство пока не раскрываются.
Расскажите друзьям о новой сверхскоростной памяти от IBM и Samsung — нажмите на одну из кнопок ниже ↓↓↓
