Mail.RuПочтаМой МирОдноклассникиИгрыЗнакомстваНовостиПоискВсе проекты
Рассылка
Получайте главные новости дня от Hi-Tech Mail.Ru
8 апреля 2016, Источник: МФТИ

В России создадут революционную память – гибрид ОЗУ, флешки и винчестера

Революционную технологию создания памяти разработали ученые Московского физико-технического института (МФТИ). Специалисты утверждают, что она будет обладать вместительностью винчестера, энергонезависимостью флешки и быстротой работы оперативной памяти, сообщает пресс-служба института.

Сегнетоэлектрики и туннельные переходы

Сегнетоэлектрики – вещества, которые способны сохранять направление внешнего электрического поля, которое к ним прикладывается. Электрический ток сегнетоэлектрики не проводят.

Туннельный эффект имеет квантовую природу и предполагает, что при очень малой толщине слоя сегнетоэлектрика электроны с определенной вероятностью могут проходить сквозь него. Если на электроды, которые примыкают к тонкому слою сегнетоэлектрика, подать напряжение, то можно записать данные в память. Считывание же выполняется путем измерения туннельного тока.

Нанотехнологии в действии

В основе памяти нового типа – сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния. Он использовался в создании микросхем и ранее, но сегнетоэлектрические свойства одной из модификаций материала были открыты всего несколько лет назад.

Толщина туннельно-прозрачных пленок – всего 2,5 нм. Выращены они были на кремниевой подложке с применением методики, которая используется в производстве микропроцессоров, при поддержке специалистов из Университета Лозанны (Швейцария) и Университета Небраски (США).

Ведущий автор исследования, заведующий лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ Андрей Зенкевич заявляет, что структуры на основе оксида гафния совместимы с кремниевой технологией. Это означает, что новая энергонезависимая память на базе российской разработки будет создана в ближайшем будущем.

Преимущества новой памяти

Разработчики подчеркивают, что память на основе сегнетоэлектрических туннельных переходов будет обладать крайне высокой скоростью чтения и записи, большой плотностью хранения информации и сниженным энергопотреблением. Фактически она сможет заменить используемую сегодня оперативную память, в которой данные без перезаписи могут храниться не более 0,1 с, при этом информация сможет храниться сколь угодно долго.

Отписаться от рассылки
Подписаться на рассылку
Хиты продаж и новинки
Самые лучшие цены на смартфоны
Комментарии
82
Se Good
Согласен с Вами. Вы не обращайте внимания на злостные выпады. Собака лает - караван идёт. Обидно, конечно, что из-за нехватки квалифицированных кадров нет возможности делать в стране полный цикл производства. Но разве это объяснишь "воротничкам". Всё нормально! Прорвёмся! :-)
СсылкаПожаловаться
Юрий Проничев
оперативной память называется из-за скорости доступа к ней (т.е. позволяет работать с данными оперативно). Но у RAM есть недостаток: данные в ней хранятся лишь несколько десятков миллисекунд, поэтому необходимо проводить непрерывные циклы перезаписи данных, что несколько притормаживает общее время доступа к ним. Но не всегда данные из RAM нужны через несколько миллисекунд (иногда секунды и даже минуты), вот тут новый тип памяти и покажет свою полезность.
СсылкаПожаловаться
Юрий Проничев
Поправлю: количество жаждущих и способных обгадить любую новую идею (особенно отечественную) превышает количество желающих что-то создать (про способных тут и говорить нечего).
СсылкаПожаловаться
Чтобы оставить комментарий, вам нужно авторизоваться.
Обнаружили ошибку? Выделите ее и нажмите Ctrl+Enter.
Подпишитесь на нас
Новости Hi-Tech Mail.Ru