Mail.RuПочтаМой МирОдноклассникиИгрыЗнакомстваНовостиПоискВсе проекты
8 апреля 2016, Источник: МФТИ

В России создадут революционную память – гибрид ОЗУ, флешки и винчестера

Революционную технологию создания памяти разработали ученые Московского физико-технического института (МФТИ). Специалисты утверждают, что она будет обладать вместительностью винчестера, энергонезависимостью флешки и быстротой работы оперативной памяти, сообщает пресс-служба института.

Сегнетоэлектрики и туннельные переходы

Сегнетоэлектрики – вещества, которые способны сохранять направление внешнего электрического поля, которое к ним прикладывается. Электрический ток сегнетоэлектрики не проводят.

Туннельный эффект имеет квантовую природу и предполагает, что при очень малой толщине слоя сегнетоэлектрика электроны с определенной вероятностью могут проходить сквозь него. Если на электроды, которые примыкают к тонкому слою сегнетоэлектрика, подать напряжение, то можно записать данные в память. Считывание же выполняется путем измерения туннельного тока.

Нанотехнологии в действии

В основе памяти нового типа – сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния. Он использовался в создании микросхем и ранее, но сегнетоэлектрические свойства одной из модификаций материала были открыты всего несколько лет назад.

Толщина туннельно-прозрачных пленок – всего 2,5 нм. Выращены они были на кремниевой подложке с применением методики, которая используется в производстве микропроцессоров, при поддержке специалистов из Университета Лозанны (Швейцария) и Университета Небраски (США).

Ведущий автор исследования, заведующий лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ Андрей Зенкевич заявляет, что структуры на основе оксида гафния совместимы с кремниевой технологией. Это означает, что новая энергонезависимая память на базе российской разработки будет создана в ближайшем будущем.

Преимущества новой памяти

Разработчики подчеркивают, что память на основе сегнетоэлектрических туннельных переходов будет обладать крайне высокой скоростью чтения и записи, большой плотностью хранения информации и сниженным энергопотреблением. Фактически она сможет заменить используемую сегодня оперативную память, в которой данные без перезаписи могут храниться не более 0,1 с, при этом информация сможет храниться сколь угодно долго.

Комментарии
82
Se Good
В ответ на комментарий от Serge История переписки3
Serge
Ещё в 17 лет награждён медалью и хорошей премией за технические разработки, могу разработать и собрать своими руками, почти любое железо, высокоточную механику и электронику начиная с изготавливания сверхчистых материалов, выращивания монокристаллов, проектирования полупроводниковых структур и организации технологических процессов; знаю английское торговое право, банковское дело, методы организации и обеспечения безопасности бизнеса, владею различными боевыми искусствами и всеми видами холодного и огнестрельного оружия. Живу далеко от России, но всегда стараюсь обеспечивать приоритет для развития технологий и создания возможностей для тех людей в России которые хотят и могут создавать дельные вещи. Мои друзья в России тоже многое умеют и могут. Работу мне не предлагать - у меня всё есть.
СсылкаПожаловаться
Согласен с Вами. Вы не обращайте внимания на злостные выпады. Собака лает - караван идёт. Обидно, конечно, что из-за нехватки квалифицированных кадров нет возможности делать в стране полный цикл производства. Но разве это объяснишь "воротничкам". Всё нормально! Прорвёмся! :-)
СсылкаПожаловаться
Юрий Проничев
В ответ на комментарий от дмитрий смирнов
дмитрий смирнов
Да действительно не понятно сравнение с оперативкой зачем её использовать вместо если для оперативки долгая сохранность не нужна
СсылкаПожаловаться
оперативной память называется из-за скорости доступа к ней (т.е. позволяет работать с данными оперативно). Но у RAM есть недостаток: данные в ней хранятся лишь несколько десятков миллисекунд, поэтому необходимо проводить непрерывные циклы перезаписи данных, что несколько притормаживает общее время доступа к ним. Но не всегда данные из RAM нужны через несколько миллисекунд (иногда секунды и даже минуты), вот тут новый тип памяти и покажет свою полезность.
СсылкаПожаловаться
Юрий Проничев
В ответ на комментарий от Serge
Serge
Вот читаю я комментарии и они только подтверждают, что количество жаждущих и способных обгадить любую новую идею изначально всегда превышает количество способных, что-то новое создать. Спросить бы этих умников: а что вы сделали, для того, чтобы изменить ситуацию с внедрением новых разработок в России? Языком трепать могут все, а вот создавать новое и организовывать производство и сбыт, могут очень не многие. Для этого надо очень много знать и уметь.
СсылкаПожаловаться
Поправлю: количество жаждущих и способных обгадить любую новую идею (особенно отечественную) превышает количество желающих что-то создать (про способных тут и говорить нечего).
СсылкаПожаловаться
Чтобы оставить комментарий, вам нужно авторизоваться.
Обнаружили ошибку? Выделите ее и нажмите Ctrl+Enter.
Hi-Tech Mail.Ru
Apple iPhone 6S 32GB
от35 780руб.
Samsung Galaxy A5 (2016)
от17 100руб.
Apple iPhone 7 32GB
от42 790руб.
Apple iPhone SE 64GB
от28 590руб.
Xiaomi Redmi 3S Pro 32GB
от9 590руб.
Samsung Galaxy S7 Edge 32GB
от37 000руб.
Meizu M3 Note 16GB
от9 130руб.
Samsung Galaxy S7 32GB
от32 500руб.
Samsung Galaxy A3 (2016)
от14 000руб.
Apple iPhone 7 128GB
от50 060руб.
Подпишитесь на нас
Новости Hi-Tech Mail.Ru