Официально: Qualcomm представит мощнейший мобильный процессор на CES 2017

Преимущества Snapdragon 835

Snapdragon 835 анонсировали в ноябре. Он производится на базе 10-нанометровой технологии FinFET от Samsung.

Топовые решения Qualcomm Snapdragon 820 и 821 созданы по 14-нанометровой технологии. В сравнении с ними Snapdragon 835 будет занимать на 30% меньшую площадь. Кроме того, ожидается, что энергопотребление нового процессора сократится на 40%.

Производительность Snapdragon 835 на 27% выше, чем у предшественников

Максимальная тактовая частота Snapdragon 835 составит 2,2 ГГц. Восемь ядер дополнит графический процессор Adreno 540 – он на 30% производительнее ядра Adreno 530, который используется в Snapdragon 820 и 821.

Кроме того, новый чипсет будет поддерживать технологию быстрой зарядки Quick Charge 4 – за 5 минут смартфон с аккумулятором емкостью 2750 мАч можно будет зарядить на 5 часов работы. Он сможет определять состояние и тип USB-кабеля, чтобы предотвратить повреждение аккумулятора из-за некачественных проводов. Предусмотрена четырехуровневая защита от перегрева смартфона и трехступенчатый контроль тока и напряжения.

Ожидается, что на базе Snapdragon 835 будут построены Samsung Galaxy S8, LG G6 и Xiaomi Mi6.

Читайте также:

CES 2017: чего ждать от первой технологической выставки года