12-гигабитный чип способен хранить 1,5 ГБ информации (в одном байте 8 бит), но если объединить 4 таких чипа, то мы можем получить целых 6 ГБ ОЗУ в смартфоне! Как сообщает корейский производитель, новая память на 30% быстрее (4226 Мбит/с) актуальных 8-гигабитных решений ее же производства, а также потребляют на 20% меньше энергии.
В прошлом году Samsung стала первой компанией, которая освоила массовое производство 8-гигабитных чипов (1 ГБ) LPDDR4. Эти наработки уже представлены на рынке, а максимально возможная конфигурация (четыре чипа в сумме на 4 ГБ) встречается в тех же Samsung Galaxy S6 edge+ (обзор) и Galaxy Note 5 (обзор).
«Мы намерены тесно сотрудничать с нашими клиентами, чтобы выйти за пределы премиальных смартфонов и планшетов для создания новых цифровых рынков, которые охватывают весь потенциал новейших технологий, таких как следующее поколение мобильной DRAM», — говорит исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти в Samsung Джу Сан Чой (Joo Sun Choi). Производитель ожидает появления своего нового решения в ультра-тонких ПК, цифровых приборах и автомобилях в ближайшие годы.
Производитель обещает нам появление 6 ГБ ОЗУ во «флагманах следующего поколения», что принесет «бесшовную многозадачность и максимальную производительность» в самых современных ОС. В компании подчеркивают, что новое решение «легко поместится» на то же место, где сейчас используется 3 ГБ LPDDR4, что означает повышенную совместимость с существующими шасси. Надеемся, 6 ГБ ОЗУ позволит производителю ослабить агрессивность поведения их гаджетов с программами в фоне, хотя бы в флагманах.
