Тот факт, что повышенное содержание индия в проводящем слое наноструктур уменьшает массу электронов и тем самым повышает их быстродействие, был известен уже давно. Однако при этом ученые сталкивались с повышенным механическим напряжением кристаллической решетки в слоях, которые соседствуют с активным.
Российские исследователи решили данную проблему, создав довольно толстый переходный слой, в котором содержание индия увеличивается постепенно. Помимо этого, наши физики разработали оптимальную схему выращивания кристаллических полупроводников, благодаря чему получены структуры высокого качества, с минимальной шероховатостью поверхности и малым рассеянием электронов.
Как сообщает «РИА Новости», помимо фундаментального теоретического значения, такие наноструктуры позволяют изучать квантовые эффекты и колебания магнетосопротивления — изобретение имеет практическое значение. Такие структуры, благодаря высокой подвижности электронов, смогут обеспечить работу микросхем на высоких частотах — до 200 Гц.
Это тоже интересно:
