Компании Intel и Micron, давно сотрудничающие на поприще развития эффективных накопителей, сообщили о завершении разработки нового класса памяти 3D XPoint (читается как «кросс-пойнт»). Создатели новшества заявляют, что это первый серьезный прорыв с 1989 года, когда появилась NAND-память — это новая категория. Новая технология позволяет сделать накопители до 1000 раз быстрее (скорость считается в десятках наносекунд, а не микросекунд, как в NAND), до 1000 раз выносливее и добиться в 10 раз более плотного размещения памяти, чем в существующих аналогах.
Новый тип памяти объединяет в себе лучшие достижения NAND и DRAM — скорость, энергонезависимость, а также дешевизну. Компактное размещение ячеек памяти (используется поперечная архитектура) предопределяет невысокую стоимость 3D XPoint. Самым же важным является готовность технологии для ее внедрения буквально сегодня-завтра — XDA стало известно, что первые образцы появятся на рынке уже в 2016 году.
Зачем наращивать скорость? Компании настаивают, что сегодня вычислительные мощности процессоров при обработке данных упираются в скорость загрузки информации, таким образом приводя к простою самого вычислительного элемента. С ростом объемов информации, которую необходимо хранить и обрабатывать, набирающими обороты Большими данными, а также развитием Интернета вещей нам требуется более эффективное решение. Новинка позволит значительно продвинуть технологичную индустрию вперед, уверены в компании.
Intel наглядно объяснила, насколько новая память быстрее:
Прогресс в Больших данных и на серверах — это хорошо, но какой толк с этого обычному человеку? Что же, у Intel есть ответ: новая память позволит уже сегодня сделать значительный рывок в играх с разрешением 8К (не стоит смеяться, виртуальная реальность на подходе, там такое разрешение лишним не будет), далеко продвинуться в машинном обучении, а также в медицине. Надеемся, что все это не просто слова и уже совсем скоро на рынке появятся коммерческие образцы новой памяти.