НовостиОбзорыВсе о нейросетяхБытовая техника 2024ГаджетыТехнологииНаукаСоцсетиЛайфхакиFunПромокодыСтранные вопросыЭксперты

Утечка: раскрыты характеристики новых флагманов Samsung

6 января 2016
Китайский ресурс Weibo со ссылкой на собственные источники опубликовал характеристики новых флагманских смартфонов Samsung. Устройства существенно превосходят Samsung Galaxy S6 и S6 edge Plus по всем показателям.

Всего и побольше

Смартфон Samsung Galaxy S7 edge получит 5,5-дюймовый экран, тогда как его «младший брат» - дисплей с диагональю 5,1 дюйма (некоторые эксперты уточняют, что диагональ составит 5,17 дюйма), правда, разрешение останется прежним – 1440х2560 точек. Но главная позитивная новость в том, что во флагманские смартфоны Samsung вернут слоты для карт microSD емкостью до 200 ГБ – производитель решил пойти навстречу поклонникам бренда.

Кроме того, гаджеты будут комплектоваться батареями солидной емкости. Samsung Galaxy S7 получит аккумулятор на 3000 мАч против 2550 у Galaxy S6, а Galaxy S7 edge – 3600 мАч против 3000 у S6 edge Plus.

Оба смартфона будут работать на базе 8-ядерных процессоров – Exynos 8 Octa 8890 или Qualcomm Snapdragon 820 с четырьмя ядрами частотой 2,3 ГГц и ещё четырьмя частотой 1,6 ГГц. Объем оперативной памяти устройств составит 4 ГБ, постоянной – 32 или 64 ГБ.

Камеры станут хуже?

А вот разрешение камер почему-то уменьшится – 12 МП против 16 МП у S6, изменится и апертура – с f/1.9 до f/1.7. Впрочем, ряд источников утверждал, что камеры новых смартфонов Samsung будут поддерживать двойную фотодиодную технологию, а физический размер сенсора увеличится. Скорее всего, это позволит улучшить качество фото даже при условии уменьшенного разрешения.

Видеорендеры

Ранее также сообщалось, что новые смартфоны Samsung не станут оснащать портами USB Type-C, зато корпус гаджетов будет водонепроницаемым. Эксперты ресурсов @OnLeaks и uSwitch даже создали видеорендеры новых гаджетов с указанием их габаритов.

Вот так будет выглядеть Samsung Galaxy S7:

А так – Samsung Galaxy S7 Plus (Samsung Galaxy S7 edge):