НовостиОбзорыИтоги года 2024Все о нейросетяхГаджет года 2024ГаджетыТехнологииНаукаСоцсетиЛайфхакиFunПромокодыЭксперты

Во флагманах Samsung урезали сверхбыструю зарядку

13 марта 2016
Компания Samsung выпустила свои флагманские смартфоны на базе двух различных чипсетов – Qualcomm Snapdragon 820 и собственного Exynos 8890. Чтобы уравнять всех пользователей в правах и сделать характеристики Samsung Galaxy S7 и S7 edge обеих версий аналогичными, производитель решил не включать поддержку технологии сверхбыстрой зарядки Quick Charge 3.0 у смартфонов на базе Qualcomm Snapdragon 820.

Все равны

Чипсет Qualcomm Snapdragon 820 имеет инструменты, которые поддерживают сверхскоростной стандарт зарядки аккумулятора Quick Charge 3.0. Эта опция реализована, к примеру, в флагманском LG G5, который также построен на основе Qualcomm Snapdragon 820.

Версии Samsung Galaxy S7 и S7 edge на этом чипсете были выпущены для США и Китая. Чтобы смартфоны не имели очевидных преимуществ перед гаджетами для других стран, Samsung решила сделать скорость их зарядки одинаковой.

Результат

Все Galaxy S7 и S7 edge поддерживают технологию быстрой зарядки Quick Charge 2.0. Эта технология обеспечивает 75% увеличение скорости пополнения энергии аккумуляторов в сравнении со смартфонами, которые не поддерживают быструю зарядку. Так, Motorola Droid Turbo с аккумулятором емкостью 3900 мАч заряжается до 60% за 30 минут с использованием Quick Charge 2.0.

Однако Quick Charge 3.0 заряжает смартфоны ещё быстрее. Так, за полчаса батарея емкостью 2750 мАч заряжается с 0% до 80%, тогда как обычный смартфон за то же время пополнил бы энергию лишь на 12%.