Samsung готовится к запуску серии Galaxy S25, дебют которой запланирован на январь 2025 года. Одна из будущих моделей — базовый смартфон Galaxy S25 — недавно появилась на Geekbench, раскрыв некоторые интригующие подробности о ее оборудовании и производительности.
В списке Geekbench указан Galaxy S25 с номером модели SM-S931N, предназначенный для корейского рынка. По данным Gizmochina, смартфон работает на базе кастомизированного чипсета Snapdragon 8 Elite для Galaxy, что подтверждается его более высокой тактовой частотой 4,47 ГГц по сравнению со стандартной частотой Snapdragon 8 Elite — 4,32 ГГц. Протестированное устройство оснащено 12 ГБ оперативной памяти.
Результаты производительности несколько разочаровывают. Galaxy S25 набирает 2481 балл в одноядерном и 8658 баллов в многоядерном тестах, что значительно ниже, чем у большинства уже выпущенных или пока только замеченных на платформе устройств с чипом Snapdragon 8 Elite. Для сравнения: OnePlus 13 и iQOO 13 регулярно набирают более 3100 и 10 000 баллов в тех же тестах. Сопоставление результатов разных флагманов демонстрирует менее впечатляющую производительность специально настроенного чипа Samsung.
Может ли неудовлетворительная производительность быть связана со слабой системой охлаждения на базовом Galaxy S25 по сравнению с более крупными флагманами, ориентированными на высокую мощность? Или Samsung просто придерживается более консервативного подхода к вопросам мощности флагманов? Ответов на эти вопросы пока нет.
Ранее известный инсайдер Ice Universe заявил, что Samsung планирует использовать чипсет Qualcomm во всей серии Galaxy S25 и на всех рынках. Рассказали, что еще стоит ожидать от смартфонов новой серии Galaxy S25.
