Mail.RuПочтаМой МирОдноклассникиИгрыЗнакомстваНовостиПоискВсе проекты
18 июля 2008

Эта флешка в 10 000 раз лучше обычной

Японские инженеры — такие молодцы, что просто нет слов. На днях им удалось решить одну из важнейших современных проблем.
Специалисты из института с интересным названием AIST (Institute of Advanced Industrial Science and Technology) и университета Токио разработали флеш-память, которой смогут пользоваться даже ваши пра-пра-пра-пра-...правнуки. Дело в том, что новая разработка позволяет осуществлять 100 млн. циклов перезаписи. В то время как обычной флешки хватает на 10 000 «маневров».

Такого замечательного эффекта удалось добиться благодаря технологии “wear-levelling”, которая распределяет циклы перезаписи по всем ячейкам равномерно. Более того, для работы новой памяти достаточно напряжения менее 6 В (современным чипам нужно около 20 В).

Производители SSD-накопителей уже наверняка облизываются в предвкушении.

фото: wikimedia.org
Пока ни одного комментария, будьте первым!
Чтобы оставить комментарий, вам нужно авторизоваться.
Обнаружили ошибку? Выделите ее и нажмите Ctrl+Enter.
Hi-Tech Mail.Ru
Apple iPhone 7 32GB
от43 600руб.
Apple iPhone 6S 32GB
от35 740руб.
Samsung Galaxy A5 (2016)
от17 700руб.
Apple iPhone SE 64GB
от31 000руб.
Meizu M3 Note 16GB
от9 490руб.
Samsung Galaxy S7 32GB
от32 500руб.
Xiaomi Redmi 3S Pro 32GB
от9 131руб.
Apple iPhone 7 128GB
от51 500руб.
Samsung Galaxy S7 Edge 32GB
от37 000руб.
Samsung Galaxy A3 (2016)
от14 000руб.
Подпишитесь на нас
Новости Hi-Tech Mail.Ru