Гонка технологий
Гордон Мур в 1965 году сформулировал закон, согласно которому число транзисторов на интегральной микросхеме будет удваиваться каждые следующие два года. Сегодня предельно компактными транзисторами, которые вписываются в рамки закона, могли бы стать 5-нанометровые элементы, однако ученые уже создали экспериментальный транзистор с затвором размером 1 нм.
Чипы Samsung с затвором размером 10 нм станут основой для процессоров Qualcomm Snapdragon 830
Эксперты полагают, что смартфоны, которые сменят на рынке Samsung Galaxy S7 и S7 edge, равно как и топовые планшеты компании, получат именно такие процессоры.
Самый компактный чип Intel создается на транзисторах на основе по 14-нанометрового техпроцесса. Значительная часть чипов, которые сегодня представлены на рынке, включает 20-нанометровые транзисторы. В России в апреле 2015 года выпустили 40-нанометровый чип (разработка российская, производство тайваньское).
Intel ранее заявляла, что намерена отказаться от использования в чипах кремния в качестве основного материала и перейти на 10-нанометровый техпроцесс в конце 2016 года, но планы пришлось пересмотреть. Впрочем, Samsung и ещё один конкурент Intel, тайваньская TSMC, которая производила чипы для Apple, собираются в 2017 году запустить массовое производство транзисторов по 7-нанометровому техпроцессу.
