Snapdragon 845 будет построен на базе техпроцесса 10-нм с технологией Low Power Plus компании Samsung. Он станет не только на 25% производительнее Snapdragon 835, но и энергоэффективнее, сообщает PhoneArena.
Также новый чип разрабатывают, учитывая перспективы 5G-сетей. Его модем X20 получит поддержку стандарта LTE Cat.18 — он позволяет добиться скорости мобильного интернета 1,2 Гбит/с.
Характеристики Snapdragon 845:
- ЦПУ: 4 ядра Cortex-A75 + 4 ядра Cortex-A53;
- ГПУ: Adreno 630;
- Оперативная память: стандарт LPDDR4X;
- Встроенная память: стандарт UFS 2.1.
Анонс Snapdragon 845 состоится 4 декабря, на острове Маойи на Гавайях. Первым смартфоном на этом чипе, скорее всего, станет Galaxy S9. Компания Samsung уже второй год сотрудничает с Qualcomm. Например, Samsung занималась производством Snapdragon 835, и в нем используется их технология FinFET.
Читайте также: Samsung Galaxy S9 первым получит процессор Snapdragon 845
