Инженеры из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН объявили о создании улучшенных элементов памяти для гибкой электроники.
Сама память тоже гибкая, так как имеет основу из соединений графена. Также ученые улучшили механизм работы устройства. Теперь память способна не только передавать информацию в режиме «0/1», а еще присваивать ей уровень значимости, проводить электричество и фиксировать количество протекшего через них заряда.
Также такая память не требует электричества и может функционировать автономно. Для создания такой технологии, российским ученым потребовалось облучить ионами ксенона фторированный графен, удалив фтор и создав проводящие квантовые точки в матрице изолирующего материала.
В институте поделились фотографией памяти, которая нанесена на гибкую полимерную пленку:
Исследователи утверждают, что такая разработка не требует серьезных затрат и легка в производстве, но технология требует отладки. Отмечается, что такая память может применяться для изготовления гибких носимых датчиков температуры тела, дыхания, измерения пульса и артериального давления, создания умных этикеток для одежды.
Исследование уже поддержал Российский научный фонд. Детали работы опубликованы в журнале Materials.
