Недавно производитель сделал довольно интересное объявление. Корейский технический гигант приступил к производству встроенной флеш-памяти Universal Flash Storage (eUFS) на 512 ГБ. Память типа eUFS в таком объеме выпускается впервые в индустрии, и Samsung заявила, что планирует использовать ее в своих смартфонах и планшетах следующего поколения. Вероятно, речь идет о Samsung Galaxy S9.
Компания заявила, что ей удалось разместить восемь 64-слойных чипов V-NAND на 512 ГБ и контроллер в корпусе eUFS, который по размеру идентичен 256 ГБ eUFS. Скорость чтения и записи может достигать 860 МБ/с и 255 МБ/с соответственно. Это позволяет записать 5-гигабайтный файл примерно за 6 секунд, то есть более чем в восемь раз быстрее, чем на обычную карту microSD.
Память eUFS на полтерабайта позволит флагманскому смартфону хранить около 130 видеороликов 4K (3840 × 2160) продолжительностью 10 минут. Это в 10 раз больше, чем может хранить смартфон с 64 ГБ встроенной памяти.
Samsung планирует постепенно увеличить объем выпуска новых 512-гигабайтных микросхем, а также расширить производство своих 256-гигабайтных чипов. Как уже было сказано выше, новая память будет представлена в будущих флагманах компании, и мы, безусловно, надеемся, что первым ее получит Galaxy S9.
Кстати, сегодня сайт SlashLeaks опубликовал данные о характеристиках Galaxy S9, которые подтвердили ранее просочившиеся слухи:
Galaxy S9 получит экран диагональю 5,77 дюйма (ранее речь шла о 5,8 дюймах) и процессор Snapdragon 845. Однако чип Exynos 9810, который устройство может получить на некоторых рынках, при этом не упоминается. Также на опубликованном изображении есть дата, которая указывает на то, что смартфон может быть представлен в январе.
